GeSi/Si异质结红外摄像器

摘要：

论述了单片512×512像素的GeSi/Si异质结红外摄像器.它的工作原理和PtSi/Si肖特基势垒红外摄像器一样.制造GeSi/Si异质结采用分子束外延法,在Si片上生长GeSi膜.该膜有理想的应力.文章评价了Ge成份、掺杂浓度、GeSi膜厚和光谱响应的关系.研究表明器件的最佳工作波长为8～12 μm.

关键词：肖特基势垒、GeSi异质结、红外摄像器、光谱响应、量子效率

所属期刊栏目：20

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：207-212