实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺

摘要：

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法,在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ION/IOFF从103量级增加到105量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短.

关键词：多晶硅薄膜、氢化工艺、薄膜晶体管、氢化机理

所属期刊栏目：20

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：179-183