脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究

摘要：

研究了强激光辐照半导体材料InSb时的热输运、自由载流子输运和光子输运过程,探讨了激光对半导体材料的损伤机理.为半导体材料的辐射效应和抗辐射加固技术提供了一个理论证据.

关键词：强激光、半导体材料、辐照效应、损伤机理

所属期刊栏目：20

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：52-58