大功率IGBT基区物理模型的非准静态建模方法综述

段耀强1罗毅飞2肖飞2马伟明2

1.华中科技大学; 2.中国人民解放军海军工程大学;

摘要：

在研究高压大功率绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片电气物理模型的基础上,对现有研究成果中模型使用的非准静态建模方法进行了总结、分析、对比和分类.大功率IGBT半导体芯片具有承受高电压的低掺杂宽基区,该区域的非准静态表征一直以来都是IGBT模块物理建模的重难点.已有国内外研究人员针对该问题提出大量不同建模方法,但是缺乏对这些方法之间的区别、联系和优缺点等系统科学地归纳和总结.为此根据建模原理揭示了现有IGBT芯片物理模型漂移区非准静态建模方法的区别和联系,将其归纳为形函数模型、空间变换模型、时间变换模型以及集总电荷模型.首先,按照上述模型…展开v

关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT)、物理模型、建模方法、双极扩散方程、非准静态

所属期刊栏目：45

分类号：TM464;TP391;TN322.8

资助基金：国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划（973计划）

在线出版日期：2019-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：2062-2073