基于等值盐密修正的绝缘子闪络电压计算

摘要：

绝缘子表面污秽成分复杂多样,对于可溶污秽成分,CaSO4与NaCl所占的比重最大.目前对于绝缘子闪络电压的估算依然基于等值盐密(ESDD)的负幂指数函数,未考虑其他导电污秽成分对等值盐密贡献的差异.然而硫酸钙本身是弱电解质,溶解度较低,对闪络电压影响显著.为此用硫酸钙和氯化钠模拟可溶物,开展了XP-160绝缘子7片串的交流污闪试验,获取闪络电压值;继而用电导率仪器分别测得了氯化钠和硫酸钙溶液的电导率曲线,计算了硫酸钙对等值盐密的贡献;最后对比分析了两种方式下绝缘子串的闪络电压的计算修正,其中第2种方法考虑了绝缘子的饱和附水量.研究结果表明,运用电导率的等价折算,从而求得混合污秽成分对等值盐密的贡献,最后计算得出的闪络电压值与实测值误差很大;而考虑到饱和附水量计算ESDD然后求得污闪电压,可以使误差降到10％左右,但是仍有不足;在进行混合污秽成分下的闪络电压修正时,仅考虑电导率是不够的.该研究在一定程度上解释了不同污秽成分对绝缘子交流污闪特性的影响,并且为混合污秽成分下绝缘子串闪络电压的修正方法提供参考.

关键词：绝缘子、交流闪络、等值盐密、污秽成分、闪络电压、污液电导率

所属期刊栏目：42

分类号：TM744;TM216;TM855

在线出版日期：2016-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1907-1913