方波脉冲下纳米氧化铝掺杂对聚酰亚胺介电性能的影响

摘要：

为了研究方波条件下纳米A12O3对PI膜介电性能的影响,将粒径为60 nm的A12O3纳米粒子作为无机填料添加到PI基体中,制作了掺杂量质量分数为1％,2％,5％,7％,10％的PI薄膜.测量了PFA12O3薄膜耐电晕性能和介电温度谱以及介电频谱,并用SEM镜观察了放电前后PFAl2O3薄膜微观形貌.研究结果表明:A12O3纳米粒子的掺入提高了复合薄膜的耐电晕性能;PFAl2O3复合薄膜的相对介电常数(εr)与介质损耗正切(tanδ)值随着A12O3含量升高而升高,其taδ值随着频率的增加先减小后增大,在200Hz处有最小值.在同一频率下,PI/A12O3薄膜εr和tanδ表现出对温度的依赖性,tanδ在70℃与170℃附近出现两个峰值;且随着A12O3含量的增高,tanδ介电峰向高温方向移动.PI基体中高分子链缠结在纳米粒子周围,纳米粒子所引入的界面以及在聚合物中表现的“钉扎效应”是影响PI/Al2O3复合薄膜介电性能的主要原因.

关键词：PI/Al2O3复合薄膜、电晕老化、介电频谱、介电温度谱、SEM分析、平均放电量

所属期刊栏目：41

分类号：TM2;TB3

资助基金：国家自然科学基金51177136,U1234202.Project supported by National Natural Science Foundation of China 51177136,U1234202

在线出版日期：2015-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1929-1935