微波半导体晶体管静电放电损伤机理

摘要：

为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验.通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性.结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿.当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁.

关键词：微波半导体、晶体管、静电放电、电磁脉冲、损伤机理、敏感端对、双极型硅器件

所属期刊栏目：40

分类号：TN3;TP2

资助基金：国家自然科学基金51277179.Project supported by National Natural Science Foundation of China 51277179

在线出版日期：2014-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：904-909