基于频率响应的IGBT模块内部缺陷诊断

摘要：

为提高绝缘栅门极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块运行的可靠性,研究了缺陷对IGBT模块内部寄生参数的影响,提出了一种基于频率响应的IGBT模块内部缺陷诊断方法,并对其工作原理和性能特点进行了详细分析.该方法基于IGBT模块失效过程中电或热老化导致的内部寄生参数变化,即在IGBT模块集射极开路状态下,通过在门极与发射极之间施加扫频激励信号,获取不同运行阶段集射极响应频谱的变化,由此判断IGBT模块内部是否存在缺陷.实验研究结果证实,所提出的方法可以有效辨识IGBT模块内部硅片失效缺陷,能够为及时替换赢得时间,从而避免模块的完全失效及由此造成的装置损坏,与现有的故障诊断方法相比,其响应时间更充裕.

关键词：可靠性、缺陷、IGBT模块、脉冲响应、频率响应分析、寄生参数

所属期刊栏目：39

分类号：TP3;TN3

资助基金：基金资助项目:国家自然科学基金51077137,51137006;国际科技合作计划2010DFA72250.Project supported by National Natural Science Foundation of China51077137,51137006;International Science & Technology Cooperation Program of China2010DFA72250

在线出版日期：2014-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2670-2677