800kVGIS隔离开关磁场-温度场计算与分析

摘要：

800kVGIS隔离开关在实际运行中由于电阻损耗发热而温度升高,甚至超过允许温升,从而影响其工作性能,为了保证其工作的安全性和可靠性,建立了三维有限元分析模型对800kVGIS隔离开关的工频磁场进行分析.首先计算出隔离开关上的磁感应强度分布及涡流损耗,然后将涡流损耗值作为体积热源计算800kVGIS隔离开关的温度场,得出各部分具体温升值.结果表明:在环境温度为27 3°C的工作条件下,隔离开关主导体上的温升约为26.3 K,外壳温升约为13.3 K.计算结果和试验测试数据的对比验证了方法的准确性,进而为产品设计提供参考,为提高GIS隔离开关运行可靠性提供理论依据.

关键词：800kVGIS隔离开关、有限元法、工频磁场、涡流、热流耦合分析、温度场

所属期刊栏目：34

分类号：TM501(电器)

资助基金：教育部科技创新工程重大项目培育资金项目707018.Project Supported by Cultivation Found of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China707018

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1383-1388