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10.3969/j.issn.1003-6520.2002.09.010

真空断路器投切电容器组早期重击穿率的研究

引用
从触头材料、真空度、加工工艺和机构动作等因素分析了35 kV真空断路器开合电容器组早期重击穿率高的原因.反复试验和针对性的技术改进,特别是用合成回路现场老炼有效地降低了真空灭弧室早期重击穿率.

真空断路器、投切、电容器、重击穿

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TM561.2(电器)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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高电压技术

1003-6520

42-1239/TM

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2002,28(9)

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