白光LED用Ce：YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析

摘要：

采用提拉法生长Ce：YAG单晶,通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征,研究了Ce：YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下, Ce：YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的宽发射带(500~650 nm)组成；激发光谱由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2个激发峰组成；Stokes位移为2448 cm-1, Huang-Rhys因子为6.12.研究结果表明, Ce：YAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系,在650 nm红粉调节下Ce离子最佳掺杂浓度范围为0.034~0.066.

关键词：白光LED、铈掺杂钇铝石榴石、光学性能、掺杂浓度

分类号：O614.33;O734.3(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金51172165;浙江省自然科学基金重点项目Z4110347;浙江省重大科技专项重大工业项目2012C01028-2;湖州市自然科学基金批准号:2011YZ02资助.@@@@Supported by the National Natural Science Foundation of China51172165;the Zhejiang Province Natural Science Foundation, China24110347;the Zhejiang Province Major Technology and Industrial Program, China2012C01028-2;the Hazhou Natural Science Foundation, China2011Y202

在线出版日期：2014-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：230-236