单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能

摘要：

采用恒电流沉积方法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征.利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究.结果表明,单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向,并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力.直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104 A/m)和较高的剩磁比(Mr=0.94Ms).

关键词：AAO模板、Ni纳米线阵列、单晶、磁性能

所属期刊栏目：28

分类号：O614;TG153.4(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金50525102;河北省自然科学基金E2004000233

在线出版日期：2008-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：2239-2241