一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷传导研究

摘要：

研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT, n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律. 结果表明, 掺杂率极低(＜0.2%)时各膜中的载流子迁移率接近, 几乎不受n的影响; 随着膜的掺杂率的增加, 各PSnT膜中的迁移率相继增大, n增大, 迁移率在更低的掺杂率处开始增大, 其增幅随着n的增加而增大. PS14T迁移率的增幅超过4个数量级, 已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当, 表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能.

关键词：迁移率、寡聚噻吩、共聚物、电荷传导、掺杂

所属期刊栏目：28

分类号：O631;O646;O657(高分子化学（高聚物）)

资助基金：南京师范大学校科研和教改项目2005103XGQ2B85;人事部留学回国人员科技活动择优基金2006164;南京师范大学专项科研基金2006103XYY0157

在线出版日期：2007-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1403-1407