反胶束法合成Cd1-xMnxS量子点及其发光性能研究

摘要：

应用反胶束法制备了稀磁半导体Cd1-xMnxS量子点.量子点的大小可通过改变ωo值(ωo=[水]/[表面活性剂])来控制.高分辨透射电镜的分析结果表明,量子点呈单分散性,是几乎没有缺陷的单晶体.量子点的大小约为4.8～6 nm,随ωo值增大而增大.电子能谱(EDS)测定结果表明,Mn2+离子在量子点中的摩尔分数为1.5%.由电子自旋共振(ESR)分析确定一部分Mn2+离子取代Cd2+离子位置而位于晶格,另一部分Mn2+离子位于Cd1-xMnxS的表面或间隙位置.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.光致荧光光谱分析表明,发光峰属于Mn2+的4T1-6A1跃迁,而且随着ωo和粒径的增大,发光峰从2.26,2.10,2.05 eV红移到1.88 eV;其发光峰偏离2.12 eV,主要是由于Mn2+离子位于扭曲的四面体晶体场所致.

关键词：量子点、稀磁半导体、Cd1-xMnxS、反胶束、光致荧光

所属期刊栏目：25

分类号：O614(无机化学)

资助基金：香港研究资助局资助项目HKUST6069/02P

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1593-1596