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10.3321/j.issn:0251-0790.2004.02.034

水热法制备高度取向的氧化锌纳米棒阵列

引用
@@ 氧化锌的激子结合能(60 meV)及光增益系数(300 cm-1)比GaN的(25 meV, 100 cm-1)还高, 这一特点使它成为紫外半导体激光发射材料的研究热点[1]. 最近, Yang等[2]成功地观测到规则的ZnO纳米线阵列的激光发射现象, 更加激起了人们合成一维高度有序ZnO纳米结构的热情. 由于一维ZnO阵列纳米材料具有独特的光学、电学和声学等性质而使其在太阳能电池[3,4]、表面声波和压电材料[5]等方面均具有广泛的应用前景. 目前制备高质量ZnO纳米线/棒阵列所采用的条件苛刻、操作复杂的气-液-固法(VLS)[6]或化学气相沉积法(CVD)[7]都不利于ZnO纳米线/棒阵列的大规模制备.

ZnO、纳米棒阵列膜、水热法

25

O641(物理化学(理论化学)、化学物理学)

国家自然科学基金20073003

2004-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

345-347

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高等学校化学学报

0251-0790

22-1131/O6

25

2004,25(2)

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