高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征

摘要：

采用CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)为模板剂, Na2SiO3*10H2O为硅源, Cu(NH3)4(NO3)2为铜源, 在常温下成功地合成出含铜质量分数高达26%, 具有中孔结构的硅基氧化铜复合材料. 较系统地研究了反应时间、温度、 pH值和铜掺入量等对产物性能的影响. 用XRD, HRTEM, FTIR, BET, TG-DTA, ICP和XPS等手段对合成产物的结构进行了表征.

关键词：硅基氧化铜、中孔材料、合成条件、铜含量、表征

所属期刊栏目：25

分类号：O643(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20173026;南京大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：320-324