分子动力学模拟4H-SiC辐照下缺陷形成机理

摘要：

运用分子动力学模拟的方法,采用LAMMPS程序模拟了六方晶格结构的4H-SiC材料辐照下级联碰撞过程.先建立4H-SiC晶体结构模型,再模拟了不同能量的初始碰撞原子(PKA)级联碰撞产生点缺陷的演化.模拟结果表明,总的点缺陷包括空位缺陷、间隙原子和反位缺陷,并以空位缺陷和间隙原子为主,给出空位缺陷与间隙原子的空间分布图;级联碰撞产生的空位缺陷数量与PKA能量成线性关系;空位缺陷与间隙原子的空间分布,特别是空位缺陷与间隙原子聚集区域,与PKA能量有密切关系.上述结果为分析4H-SiC基材电子器件在辐照环境下电学性质变化提供理论基础.

关键词：4H-SiC、分子动力学、级联碰撞、缺陷

所属期刊栏目：32

分类号：O474;O571.1(半导体物理学)

在线出版日期：2018-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：45-51