基于Low K介质QFN 55 nm铜线键合ILD断层的分析

摘要：

主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺.在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从工艺稳定性方面考虑.通过一系列工艺的优化,通过大量实验设计,获得了尽可能少的层间介质断层缺陷.

关键词：低介电常数、层间介质、铜线键合、实验设计

分类号：TN495(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：44-50