高方阻密栅电池发射结方阻的优化

摘要：

主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺.在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑.通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635 mV的开路电压,5.817 A的短路电流,均值18.67%的电池效率.

关键词：高方阻发射结、晶体硅电池、转换效率

分类号：TM911.11

在线出版日期：2013-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：18-24