电化学腐蚀MCP中载流子传输特性作用与影响分析

摘要：

结合半导体能带理论以及电荷传递理论,阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理;在电化学腐蚀MCP以n-型（100）晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为850 nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴,以微通道板几何结构建立模型,模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况,发现载流子在尖端聚集,侧壁被钝化保护,使通道沿尖端方向生长,从而分析不同工艺条件对运输特性的作用与影响分析。

关键词：硅MCP阵列、光生空穴、输运特性、电化学刻蚀

所属期刊栏目：27

分类号：O613.72(无机化学)

资助基金：国家自然基金项目61077024/F050205

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：38-42,46