多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

摘要：

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon，PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition，PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示，制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰强度较大。SEM结果表明，250℃生长的ZnS溥膜表面疏松、不平整，这是由于衬底PS的粗糙结构所致，而350℃生长温度下，尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒，但总体变得平整致密。室温下的此致发光（PL）谱表明，350℃样品中ZnS的自激活发光强度高于250℃样品，而PS的红光强度低于250℃样品且峰位红移。把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合体系早现较强的白光发射。

关键词：脉冲激光沉积、光致发光、ZnS、多孔硅

所属期刊栏目：26

分类号：O484.41(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09;滨州学院科研基金BZXYG1001

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-55,68