Ⅱ类超晶格甚长波红外探测器的发展

摘要：

由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著.带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面.这些特有的性质,例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制俄歇复合,使其成为一种很有吸收力的甚长波红外(VLWIR)探测器材料.通过归纳和分析近年来刊发的有关文献资料,介绍了T2SL/VLWIR探测器发展中的有关问题,例如基本概念、结构、性能优化、数值建模、电学性能等.

关键词：Ⅱ类超晶格、红外探测器、甚长波红外

所属期刊栏目：26

分类号：TN362(半导体技术)

在线出版日期：2011-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：45-52