AlGaN器件欧姆接触的研究进展

摘要：

作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展.

关键词：AlGaN、欧姆接触、肖特基接触、紫外探测器、高电子迁移率晶体管、异质结场效应晶体管

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

在线出版日期：2009-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：36-42