10.13563/j.cnki.jmolsci.2019.04.002
含咔唑基吡嗪衍生物的二阶NLO性质研究
采用B3LYP方法,在6-311G(d,p)水平上研究了若干含咔唑基吡嗪衍生物的二阶NLO性质和电子光谱.结果表明,分子的二阶NLO系数(βtot)与极化率(α)成正比关系,并且取代基吸电子强度的增加以及芳香杂环的引入可以明显提高分子的二阶NLO活性.当以丙基为供体,三氰基苯乙烯基为受体,并用吡咯环代替苯环时,显示了较大的NLO活性和良好的透光性,研究体系在NLO材料领域有较好的应用前景.
密度泛函理论、吡嗪、咔唑、二阶NLO性质、电子光谱
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O641(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金资助项目21401010
2019-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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