基于分子模拟的苯并三氮唑与Irgamet39缓蚀性能研究

摘要：

苯并三氮唑(BTA)及其衍生物Irgamet39都能在铜绕组表面形成保护膜抑制硫腐蚀,但缓蚀性能却有差异.为探究两者缓蚀性能的差异性,采用分子模拟方法从微观层面对2种缓蚀剂的缓蚀性能进行对比研究.通过计算比较Cu(100),Cu(110)和Cu(111)晶面功函数的大小,选取Cu(110)晶面为研究表面.分析了在2种缓蚀剂吸附情况下Cu(110)表面的态密度变化,发现在费米能级附近,Irgamet39吸附时Cu表面的电子密度较BTA吸附时大,说明此时Cu表面的活性更大.同时比较和计算了2种缓蚀剂分子前线轨道分布以及最高占据轨道和最低空轨道能量差,并且分析了BTA与Irgamet39的电负性.结果表明,Iragmet39分子有多重吸附中心且前线轨道能量差更小,更容易与铜表面发生反应;Irgamet39分子的电负性小于BTA分子,电子易流向铜,更容易与铜形成配位键.以上模拟结果说明在清洁Cu表面,Irgamet39的缓蚀效果更好.

关键词：铜缓蚀剂、腐蚀性硫、变压器、分子模拟

所属期刊栏目：34

分类号：O643(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51577105

在线出版日期：2019-02-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：472-476