光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性

摘要：

紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10 μm时,在200～285 nm的紫外光区几乎不透光.本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜.应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254 nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极.本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉.

关键词：光刻掩膜、AZ光胶、聚碳酸酯、光化学改性、金微电极

所属期刊栏目：35

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金20475048;浙江省自然科学基金M203098

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：623-627