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10.3969/j.issn.1004-4957.2002.05.020

XPS分析中使用样品磁透镜引起的谱峰位移和峰形畸变

引用
发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品(或与样品托绝缘的导电样品)的X射线光电子能谱分析时,谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变;在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小,当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失;作者提出这种异常大的位移来自样品荷电效应,后者是由于样品磁透镜的磁场与来自X射线枪Al窗的低能杂散电子发生了相互作用并使这些杂散电子不能到达样品表面起中和作用所致.

X射线光电子能谱、磁透镜、荷电效应

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O657.62(分析化学)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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分析测试学报

1004-4957

44-1318/TH

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2002,21(5)

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