凹槽形Cu衬底上同质外延生长的分子动力学模拟

摘要：

应用分子动力学方法模拟在刻有不同"深/宽"且截面为矩形凹槽的Cu衬底上进行同质外延生长的过程.原子间采用嵌入原子方法(EAM)模型.模拟结果表明,凹槽的"深/宽"及沉积粒子的入射能对晶界倾角θ和V→/V↑产生影响,θ随入射能增大而增大,V→/V↑随入射能增大而减小;在1 000 K温度时,"深/宽"为1/2时,不能形成较理想的薄膜,薄膜表面外延生长方向全部为竖直方向;而在"深/宽"为1/1,入射能为10 eV时,能形成较理想薄膜.

关键词：分子动力学、外延生长、计算机模拟

所属期刊栏目：31

分类号：O73(晶体物理)

资助基金：辽宁省教育厅高校科学技术研究项目20076462

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：67-71