金刚石在6H-SiC单晶片游离磨料化学机械抛光中的影响

摘要：

本文通过试验研究了抛光液中金刚石磨料粒径对SiC单晶片去除率和表面质量的研究.试验中选用五种不同粒径的金刚石磨料,分别配制了含磨料的水抛光液和化学试剂抛光液.抛光加工后,分别比较相同抛光液不同粒径和相同粒径不同抛光液对6H-SiC单晶片的去除率和粗糙度的影响.

关键词：SiC单晶片、抛光液、磨料、去除率、表面粗糙度

分类号：TG7;TQ1

在线出版日期：2016-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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