10.3969/j.issn.1000-8098.2011.02.002
聚吡咯/凹凸棒石纳米导电复合材料的制备和表征
通过正交实验确定了聚吡咯/凹凸棒石(Ppy/ATP)纳米导电复合材料的最佳制备工艺条件.结果表明:当吡咯(Py)用量为m(Py):m(ATP)=0.32,过硫酸铵(APS)与Py的摩尔比为1.1,十二烷基磺酸钠(DSNa)与Py的摩尔比为0.27,15℃下反应2h得到的复合材料体积电阻率可达26Ω·cm.通过热重-热差分析、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)、TEM对纳米复合材料进行表征.测试表明:聚吡咯/凹凸棒石纳米复合材料的耐热性能与纯聚吡咯相比明显提高,聚吡咯以非晶态形式包覆在凹凸棒石单晶的表面,它们之间没有新键生成,存在的是物理作用.
聚吡咯、凹凸棒石、纳米复合材料、体积电阻率
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TB332;TD985(工程材料学)
江苏省高校自然科学研究重大项目09KJA430002;江苏省自然科学基金BK2009748;江苏省科技支撑计划BE2009099;2010年度高校科研成果产业化推进工程JH10-53;江苏省产学研前瞻性联合研究项目BY2010123;江苏省科技型企业创新资金BC2010149
2011-06-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
5-7,10