基片温度和氧气流量对磁控溅射制备ITO薄膜光电学性质的影响

摘要：

利用直流磁控溅射技术在BK-7基片上沉积掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜.研究不同基片温度和氧气流量对薄膜的结构、电学和光学性质的影响,分析光电学性质改变的机理.结果表明,随着氧气流量的增加,载流子浓度(N)不断下降,电阻率(ρ)不断增大,但迁移率(μ)先增大后减小,在氧气流量为0.5 cm3/min(1Pa)时有最大值.随着基片温度的上升,N逐渐增加,ρ不断降低,而μ则先增加后减小,在基片温度为200 ℃时为极大值.所有样品在可见光区的平均光学透过率都大于80%,薄膜的折射率和消光系数从拟合透射光谱数据获得;在1 500 nm光学波长处,折射率随载流子浓度的增加而减小,较好符合线性关系;消光系数随载流子浓度的增大而增加,不符合线性关系.

关键词：ITO、薄膜、磁控溅射、光电学性质

所属期刊栏目：25

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金资助项目2007J0317;福建省科技厅重点项目2007H0019;福建省教育厅基金资助项目JB06104,JB08065

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：57-62