10.3969/j.issn.1000-5277.2004.04.010
Co薄膜的磁滞回线标度行为
采用磁控溅射法制备了多晶的Co薄膜,研究了其结构、磁滞行为和标度关系.实验结果表明:Co薄膜具有简单立方结构和沿膜面的易磁化方向;沿Co磁性薄膜的易磁化方向所得到的标度指数值α=0.90,与其它实验和理论计算结果相近;而对于沿难轴方向,Co磁性膜的标度指数(α=1.8)比沿易磁化方向的要大得多,这种差异有待进一步的理论研究.
Co磁性膜、磁滞回线、标度关系
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O48(固体物理学)
教育部高校骨干教师资助计划BD041;福建省自然科学基金E032002
2005-01-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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