溶胶凝胶法制备以Al2O3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管

摘要：

利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件.HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24 nm降低至0.16nm.Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al2 O3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大.研究证明,溶液法制备Al2O3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层.

关键词：溶液法、薄膜晶体管、界面修饰层Al2O3

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分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划8632015AA033406;广东省省级科技计划2015B090915001;上海科学技术委员会项目13520500200

在线出版日期：2016-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：50-55