Zn1-xCdxS三元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证
基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了Zn1-xCdxS三元混晶的电子结构和光学性质.计算结果表明,Cd进入ZnS晶格后,禁带宽度变窄,硫空位(Vs)缺陷能级随x值增大逐渐向费米能级移动,在紫外和可见波段的吸收截止波长随着x值增大逐渐红移.采用共沉淀法制备了Zn1-xCdxS三元混晶,XRD图谱表明形成了Zn1-xCxS合金相,吸收光谱显示了与理论计算相符的能带和吸收截止边的移动规律,荧光光谱显示与Vs相关的发射峰随x增大逐渐红移,与计算得到的Vs缺陷能级的移动规律相同.
密度泛函理论、电子结构、光学性质、Zn1-xCdxS三元混晶
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O471.6;O472.3(半导体物理学)
国家自然科学基金60877029;天津市自然科学基金09JCYBJC01400
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
720-728