硅纳米线阵列的光学特性
在常温常压条件下,采用改进的金属催化化学腐蚀方法在n型单晶硅片(100)上制备了大面积垂直于硅衬底、直径均匀、排列整齐的硅纳米线阵列.分析了样品的表面形貌和反射谱,纳米线直径为10~50nm.在腐蚀时间分别为15,30,60 min时,纳米线长度分别为9,17,34 μm.样品的减反射件能优异,在300~1000nm波段,得到了2.4%的反射率.初步分析了纳米线阵列的减反射机制和不同腐蚀时间样品的反射率差异.
金属催化化学腐蚀、硅纳米线阵列、减反射
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TM615(发电、发电厂)
国家自然科学基金60877031,61007023
2011-03-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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