不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱

摘要：

通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系.说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关.对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高.

关键词：In团簇、InGaN、变温PL、激活能

所属期刊栏目：31

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776042;国家重大科学研究计划2009CB30504

在线出版日期：2011-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：864-869