Mg掺杂CdSe电子结构和光学性质的第一性原理

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了纤锌矿结构Cd1-xMxSe(x=0,0.125,0.250,0.375)的电子结构和光学性质.结果表明,不同系统的价带顶都主要由Se4p态决定,其位置基本不变;导带底由Se4s态和cd5s共同决定,并且随着掺杂浓度的增加向高能区移动,结果使得带隙展宽,由此使得系统介电函数虚部的峰值和折射率实部的峰值随掺杂浓度的增大而蓝移,计算结果与实验符合.

关键词：CdSe、电子结构、光学性质、第一性原理

所属期刊栏目：31

分类号：O471.5;O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10775088;山东省理论物理重点学科资助项目

在线出版日期：2011-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：842-847