闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性

摘要：

室温下掺铊碘化铯(CsI:TI)晶体的吸收谱在230～320 nm范围内有3个特征峰:310 nm(4 eV)、270nm(4.6 eV)和245 nm(5.1 eV).采用这3种不同激发能量(对应不同激发机制)的近紫外(UV)光激发得到的荧光(PL)光谱相同.这些PL谱与钨(W)靶X射线激发的辐照致荧光(RL)谱也类似.经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV(400 nm)、2.55 eV(486 nm)、2.25 eV(550 nm)和2.1 eV(590 nm)发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL.分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤TL+Va+、Tl0Va+,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠.结果表明:X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI:Tl的发光特性.

关键词：闪烁晶体、掺铊碘化铯晶体、辐照缺陷、辐照致荧光

所属期刊栏目：31

分类号：O433.4;O482.31(光学)

资助基金：国家自然科学基金10244007

在线出版日期：2011-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：831-835