Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能

摘要：

研究了用单束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能.XRD表征结果表明制备的薄膜是具有沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构.然而,进一步的高分辨电子显微镜结果显示整个样品上的晶体取向并不完全相同.很难说明形成了单晶.结果分析表明Co占据了部分Zn的格点,并对电子结构产生了影响.室温下观察到了磁滞回线,显示掺杂Co可以实现ZnO的磁性翻转,但磁性比较小.该薄膜与我们以前用双束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜具有相似的性能,提示我们其内部的机制可能相似.

关键词：Co掺杂ZnO、稀磁半导体、脉冲激光沉积法、磁性

所属期刊栏目：29

分类号：O472.5(半导体物理学)

资助基金：杭州电子科技大学校科学研究基金KYF091506003;浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金200603资助项目.The project supported by Hangzhou Dianzi University FundKYF091506003;State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University2000603

在线出版日期：2008-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：479-485