氢化后ZnO发光性质的变化
通过低温光致发光(PL)谱研究氢化对ZnO发光性质的影响.氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体.研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度,特别是I4峰(3.363 eV)的强度增加和3.366 eV峰出现.比较未氢化样品,氢化样品PL谱显示不同的温度依赖.
氧化锌、氢化、退火、光致发光光谱
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
国家自然科学基金资助项目50532080, 60676040,60576043
2008-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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