生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响

摘要：

研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移.对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量＜0.2,生长温度低于560 ℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响.

关键词：应变量子阱、偏析、脱附、光致发光谱

所属期刊栏目：29

分类号：O472.3;O482.31;TN253(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60476042;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB921703;天津市应用基础研究项目06YFJZJC01100;天津城市建设学院人才启动经费资助项目

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：325-329