MOCVD生长InxGa1-xN合金微观结构和光学特性

摘要：

利用发光光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微(AFM)等实验方法对MOCVD生长的InxGa1-xN合金进行了研究.原子力显微图样表明样品表面出现纳米尺度为微岛状结构.样品PL和PLE谱表明,其主要吸收峰位于波长为365,474 nm,发光峰的位置位于波长为545,493 nm处,其中545 nm发光峰半高宽较493 nm发光峰宽,这两个峰分别起源于In(Ga)N浸润层和InGaN层发光,浸润层局域化激子和岛状微观结构弛豫特性是产生发光峰Stokes移动的重要原因.

关键词：InGaN、MOCVD、AFM、发光谱、激发谱

所属期刊栏目：29

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10474078

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：318-324