电子束蒸发结合热处理方法制备高质量MgxZn1-xO薄膜

摘要：

利用电子束蒸发结合热处理方法在150 ℃下,石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜.用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),吸收光谱和室温光致发光(PL)光谱研究了退火条件和降温方式对MgxZn1-xO薄膜的微结构和光学性质的影响.在吸收光谱中,吸收边和吸收峰的蓝移说明:通过改变退火条件和降温方式,可以将MgxZn1-xO薄膜的带隙从3.37 eV提高到3.61 eV. 从SEM的结果得出:吸收边和吸收峰的蓝移不是由量子限制效应引起的,而是形成了MgxZn1-xO合金薄膜.在XRD谱图中,没观察到属于MgO的衍射峰,700 ℃退火快速降温至室温薄膜的衍射峰的半高全宽(FWHM)较其他薄膜的衍射峰有所展宽,说明Mg2+已经成功地取代了ZnO中的Zn2+.薄膜的室温光致发光谱说明:通过采用快速降温,可制得高质量的MgxZn1-xO薄膜.

关键词：MgxZn1-xO薄膜、电子束蒸发、光学性质

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：教育部科学技术研究重点项目108045;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03Z311;国家自然科学基金60576040;东北师范大学校科研和教改项目20050205

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：313-317