Ag掺杂p型ZnO薄膜及其同质结的光电性质

摘要：

采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相.未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10 K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315 eV处观测到了与Ag有关的施主-受主对(DAP)发射,受主缺陷的形成归因于掺入的Ag替位Zn.计算得到受主能级离价带顶约110 meV.霍尔效应测得电阻率约0.1 Ω·cm,迁移率约36 cm2/V·s,空穴浓度约1.7×1018 cm-3.在此基础上制备了ZnO:Ag/ZnO的同质结,I-V测试显示了明显的整流特性,且反向漏电流很小.所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型.

关键词：Ag掺杂氧化锌、低温PL谱、施主-受主对、同质结

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分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50532070;50472009;10474091

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：304-308