射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性

摘要：

在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究.通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比.实验结果表明, N掺杂的浓度高达1020 cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用.

关键词：金属有机化学气相沉积、射频辅助、N离化、N-Al共掺杂

所属期刊栏目：29

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50532070;50472009;10474091

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：299-303