n型InP(100)衬底上电沉积氧化锌薄膜的

摘要：

采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜.探索线性扫描伏安法确定InP与0.1 mol/L Zn(NO3)2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20 ℃溶液中,相对于甘汞电极(SCE)的极化电势为-1.187 7 V.扫描电镜照片显示:随着应用电势的降低,氧化锌薄膜变得紧密平滑;狭窄的X射线衍射峰也说明低电势下薄膜的结晶质量较好.光荧光表征发现低电势下制备的氧化锌薄膜具有良好的发光特性.

关键词：氧化锌薄膜、电沉积、X射线衍射、光致发光

所属期刊栏目：29

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60306001

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：283-288