Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

摘要：

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应.但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm.当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生.因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性.

关键词：ZnO、Si衬底、高温退火、阴极射线荧光、硅酸锌

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+1;TN304.1+2;O734+.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50142016;国家重点基础研究发展计划973计划51号;安徽省自然科学基金0046506

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：171-176