Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究

摘要：

利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结的I-V,C-V特性及I-V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3G-SiC/p-Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/p-Si异质结构的I-V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上.室温下Al电极3C-SiC/p-Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1.95.

关键词：3C-SiC/p-Si异质结、扫描电子显微镜(SEM)、I-V、C-V

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+4(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家高技术研究发展计划863计划2001AA311090

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：130-134