MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED

摘要：

利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫光LED外延片,双晶X射线衍射测试获得了2级卫星峰,室温光致发光谱的峰值波长为399.5nm,FWHM为15.5nm,波长均匀性良好.制成的LED管芯,正向电流20mA时,工作电压在4V以下.

关键词：InGaN、量子阱、紫光LED、MOCVD

所属期刊栏目：24

分类号：O472.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60276010;国家高技术研究发展计划863计划2001AA313060,2001AA313110,2001AA313140

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：107-109