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10.3321/j.issn:1000-7032.2003.01.014

掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

引用
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降.提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3+占据VPb的形式存在.Y3+占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加.

掺钇钨酸铅晶体、微观缺陷、正电子湮没寿命谱、X光电子能谱

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O482.31;O77;O739(固体物理学)

国家自然科学基金19774043;高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划;上海市教委资助项目;上海市教委"曙光计划"02SG19;上海市自然科学基金01QN18

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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发光学报

1000-7032

22-1116/O4

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2003,24(1)

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